درباره این محصول

Type Designator: IRFP064NPBF Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 70 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 190 nC Rise Time (tr): 190 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 3200 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.009 Ohm

نقد و بررسی محصول

Type Designator: IRFP064NPBF Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 70 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Total Gate Charge (Qg): 190 nC Rise Time (tr): 190 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 3200 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.009 Ohm

این محتوا برای تست discovery و تکمیل داده نمایش داده می‌شود و تا زمان claim رسمی فروشگاه، به معنی تایید محتوای فروشنده توسط RQmarket نیست.

مشخصات کلیدی

نظرهای خرید تأییدشده در RQmarket

نظرات و امتیاز کاربران منبع

نام نمایشی و provenance منبع حفظ می‌شود، اما این رکوردها به customer ساختگی یا حساب RQmarket متصل نمی‌شوند. این بخش فقط‌خواندنی است.